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武漢光迅“寬帶接入用光電子核心芯片研發及產業化”科技成果評價會召開
2017-08-29    來源:本站原創  瀏覽次數:

  2017年8月28日,由中國電子元件行業協會組織的“寬帶接入用光電子核心芯片研發及產業化”科技成果評價會在湖北省武漢市召開,該項目由武漢光迅科技股份有限公司完成。中國電子元件行業協會秘書長古群到會,武漢光迅項目組人員參加會議。


  專家組首先聽取了光迅科技的成果總體介紹,并提出質詢,光迅科技項目組對質詢進行答辯。專家組還查看了生產和實驗現場,審核了光迅科技提交的評價資料。隨后,專家組進行討論評價。最后專家組長宣布綜合評分結果及評價結論。


  該項目圍繞2.5Gb/s~10Gb/s光纖接入發射用DFB激光器和接收用APD芯片的大批量國產化,在以下核心技術上取得了創新性成果,包括:DFB激光器和APD芯片的器件結構和制備工藝;2英寸外延片高均勻光柵制備技術;用于芯片良率和可靠性控制的鍍膜技術。實現了高可靠、低成本,已達到年產1億余只的生產規模。經武漢網銳實驗室檢測,10Gb/s DBF激光器和10Gb/s APD芯片的主要產品性能指標與國際領先廠家的同類型產品相當。專家組認為該項目技術達到國際同類產品的先進水平。

隨著實施中國制造2025發展戰略,在國家相關部門的政策支持下,企業不斷推進科技創新和技術進步,促進產業轉型升級。中國電子元件行業協會除開展科技成果評價外,還將拓展其他的業務領域,滿足會員單位對行業管理工作新的需求,在服務會員單位、提升自身專業能力上下功夫。

 

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